اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد، مهتاب کرمی شبانکاره

بسمه تعالی

 

 

گروه مهندسی مواد

 

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

 

ساخت نانوسیم‌های چندلایه مواد مغناطیسی و غیر مغناطیسی و بررسی مورفولوژی و خواص مغناطیسی

 

ارائه دهنده: مهتاب کرمی شبانکاره

  زمان: چهارشنبه ۶/۱۲/۱۳۹۹ ساعت ۱۳

http://lms.hut.ac.ir/rnwa6su123pw/‏                               به صورت غیر حضوری            لینک جلسه:

 

استاد راهنما: دکتر اکبر حیدرپور                                                         استاد راهنما: دکتر مژگان نجفی                                                

   مرتبه علمی: دانشیار    دانشگاه: صنعتی همدان                                مرتبه علمی: استادیار   دانشگاه: صنعتی همدان

     استاد داور داخلی: دکتر صمد قاسمی                                                    استاد داور خارجی: دکتر مجتبی مظاهری

   مرتبه علمی: استادیار دانشگاه: صنعتی همدان                                             مرتبه علمی:  استادیار دانشگاه: صنعتی همدان                                                                                                                                                              

چکیده: در این تحقیق، با استفاده از روش الکتروانباشت مستقیم تک حمامی درون نانوحفره‌های قالب آلومینای آندی آرایه‌های نانوسیم‌های چند لایه Ni/Cu با قطر ۳۵ و ۷۰ نانومتر ساخته شد. سرعت رشد لایه‌های نیکل و مس و طلا به ترتیب در پتانسیل‌های ۴/۰ ،۱/۱ و ۴/۲ ولت در قالب با قطر ۷۰ نانومتر به ترتیب۴۴/۰و ۳۸/۰ و۳۳/۰ نانومتر برثانیه تعیین شد. در نانوسیم‌های با قطر ۳۵ نانومتر، ضخامت لایه مغناطیسی نیکل ۵۲۸ نانومتر ثابت و ضخامت لایه مس از ۲۰ تا ۱۸۰ نانومتر با تغییر زمان انباشت لایه مس در حال تغییر است. بررسی حلقه‌ای پسماند با اعمال میدان موازی (OPP) و عمود بر نانوسیم‌ها (IP) نشان می‌دهد در این نانوسیم‌های نرم مغناطیسی وادارندگی و نسبت مربعی در حالت اعمال میدان موازی کمی بیشتر از این مقادیر در حالت اعمال میدان عمود بر نانوسیم است. وادارندگی و نسبت مربعی با افزایش ضخامت مس تغییرات ملایم و افزایشی دارد. ضریب پذیرفتاریχ OPP و χ IPدر نزدیکی میدان وادارندگی به ترتیب از ۶/۳ تا ۱۰ و از ۴/۲ تا ۶/۹ با افزایش ضخامت لایه مس تغییر می‌کند. با افزایش ضخامت لایه مس برهم‌کنش‌های مغناطواستاتیکی بین لایه‌های نیکل کاهش می‌یابد. نانوسیم‌های چند لایه Ni/Cu با قطرهای ۳۵ و ۷۰ نانومتر و ضخامت مس یکسان (۲۰نانومتر) و ضخامت‌های نیکل به ترتیب ( ۵۲۸ و ۲۶۴ نانومتر) ساخته شد. مغناطش اشباعMs  در نمونه با قطر بیشتر به دلیل بالابودن ضریب تخلخل قالب ۳ برابراست. پذیرفتاری مغناطیسی χ OPP نانوسیم با ضخامت نیکل (۵۲۸نانومتر و ۲۶۴ نانومتر) به ترتیب برابر با ۶/۳ و ۹/۸ است. تغییرات پذیرفتاری نشان می‌دهد که برهم‌کنش­های مغناطواستایک بین سیم‌ها با افزایش ضخامت لایه مغناطیسی بطور چشمگیری افزایش یافته است.

پاسخی بگذارید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *